工艺能力覆盖至28nm!
低能段表现出色!
兼具高能量和大流强!
覆盖范围广泛!
SiC电力电子器件制造!
优异的注入均匀性!
提供小批量、多品种注入服务,支持特殊离子种类和能量要求!
支持 4/6 英寸化合物半导体晶圆,工艺温度范围 RT~600°C!
低金属污染控制 (< 5E10 atoms/cm³),低损伤注入工艺!
兼容 6/8 英寸晶圆,适用于 FRD、IGBT、MOSFET 等器件!
支持 12 英寸晶圆,能量范围 2keV~3MeV,剂量精度 < 1%!
适用于 SiC SBD、SiC MOSFET 等器件量产,注入均匀性 < 2%,产能 > 30wph!
INNOVATION AND EFFICIENCY, INTEGRITY PROSPERS THE ENTERPRISE
以创新立企,以高效强企,以靠谱树企
INNOVATION LEADER
工艺段覆盖至14nm · 累计授权专利102项
SELF-CONTROLLABLE ION IMPLANTATION TECHNOLOGY
成为自主可控离子注入技术的引领者,国内顶尖的离子注入机设备供应商,国际一流的离子注入设备服务商
SEMICONDUCTOR EQUIPMENT SPECIALIST
专注离子注入 · 覆盖逻辑/存储/功率/化合物半导体全领域 · 服务国内主流集成电路产线
BEIJING ZKX SEMICONDUCTOR
攻克离子注入装备关键技术瓶颈,解决国产自主可控元器件制造工艺装备短板问题
PRODUCTS & SOLUTIONS
为科研院所和高校提供灵活、高效的定制化离子注入研发服务,支持特殊工艺需求和原型验证。
面向 GaN、GaAs 等化合物半导体的离子注入需求,提供从工艺开发到量产的完整解决方案。
为 CIS 图像传感器等成像器件提供定制化离子注入方案,优化暗电流、像素响应均匀性等关键参数。
为 IGBT、MOSFET 等功率半导体器件提供全面的离子注入工艺方案,优化器件导通电阻和开关特性,提升器件性能。
针对 28nm 及以下先进逻辑和存储芯片的离子注入需求,提供高精度、低损伤的注入工艺解决方案,满足关键尺寸控制要求。
面向第三代半导体 SiC 功率器件制造,提供从低能到高能的全流程离子注入工艺方案,覆盖高温注入、大剂量注入等关键工艺需求。
NEWS & EVENTS
国产离子注入机代表中国电科成功进入榜单,综合排名第三位
中科信携最新离子注入机产品亮相展会,展示技术创新成果
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预计全球半导体市场规模将突破6000亿美元,离子注入设备需求持续增长
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